近日，由山东大学研究生院、党委研究生工作部主办，集成电路学院承办的第33期“稷下风”研究生学术讲座在软件园校区教研楼227会议室举行。本次讲座邀请了两位主讲人，其中中国科学院苏州纳米所的张晓东研究员讲解了“超宽禁带半导体氧化镓薄膜MOCVD外延与器件”，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所于国浩正高级工程师则以“H等离子体钝化GaN HEMT功率芯片及其集成技术研究”为主题进行了深入探讨。集成电路学院刘超教授主持活动。

讲座伊始，刘超教授对两位专家的到来表示热烈欢迎，并对两位主讲人进行了介绍。随后，两位专家分别就各自研究领域的最新进展进行了精彩分享。

于国浩工程师的讲座内容聚焦于氮化镓（GaN）功率器件产业化关键技术，核心突破在于氢等离子体钝化技术与大尺寸工艺线开发。于国浩工程师通过介绍其团队针对GaN材料p型激活难题所提出氢等离子体处理钝化技术，向同学们展示了设计高性能GaN功率芯片的新方法、新思路。在光电子器件研究方面，于国浩工程师团队也取得了重要进展。于国浩工程师围绕“双晶体管单电容”（2T1C）结构和Micro-LED的有源驱动技术进行了系统讲解，深入解析了其在电路设计与光电集成方面的关键优势与实现路径。该技术为提升新一代高分辨率、高亮度显示器件的性能和集成度提供了全新方案。

张晓东研究员的讲座则聚焦于以氧化镓为核心的超宽禁带半导体的薄膜外延与器件应用，系统梳理了氧化镓研究的发展脉络。报告从材料特性出发，阐述了其团队在MOCVD外延技术上的创新突破。指出β-Ga₂O₃薄膜的指标达到了国际先进水平，为低成本、大尺寸氧化镓功率器件的研发奠定基础。基于Ga₂O₃薄膜具有超宽禁带的材料特性，张研究员还进一步介绍了其所在团队完成了日盲紫外探测器的开发，这推动了Ga₂O₃基光电器件在军工、国防领域的应用。报告中张晓东研究员关于解决材料生长与器件制备关键瓶颈的深入分析，为在场师生提供了宝贵的科研思路。

在互动环节中，同学们就GaN工艺中的相关问题等话题积极提问，两位专家结合自身研究经验给予了细致解答。专家们的前瞻性见解让在场师生受益匪浅。此外，刘超教授也参与了学术对话，就我院目前相关研究进展与两位主讲人进行了深入交流。

本次报告不仅展现了宽禁带半导体领域的最新研究成果，更体现了基础研究与应用开发的深度融合。与会师生纷纷表示，本次讲座不仅拓宽了学生们的学术视野，更让学生们对半导体产业的未来发展有了更清晰的认识。

于国浩, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所正高级工程师，硕士生导师。于2006年获青岛大学物理学学士学位，2013年获中国科学院大学微电子与固体电子学博士学位，2020年日本名古屋大学“未来材料实验室”访问学者。于国浩博士主要从事有关氮化镓 （GaN）的外延、器件和单片集成，以及宽禁带半导体微纳加工技术等方面的研究工作，主持和参与包括国家自然科学基金在内的多项科研项目，累计在 ISPSD，IEEE EDL，IEEE TED，APL等器件领域的国际主流会议和高水平期刊发表论文 40 余篇，并担任 IEEE EDL，IEEE TED，APL等多个期刊的审稿人。近5年主持开发中科院苏州纳米所6inch&8inch GaN HEMT工艺线，实现850V、10A的大功率芯片制备工艺。

张晓东, 中国科学院苏州纳米所研究员，博士生导师。2007年加入中国科学院苏州纳米所纳米加工平台，长期从事半导体材料与器件、工艺相关研究，包括超宽禁带半导体氧化镓薄膜外延生长、功率与光电器件，六方氮化硼薄膜生长与特性分析，氮化铝薄膜外延生长与器件制备，氮化镓Micro-LED与HEMT器件等。近年来主持了多项国家、省市级科研项目，在国际主流期刊发表SCI论文80余篇，申请国内外发明专利40余项。