2019年10月25日下午14时，由山东大学研究生院、党委研究生工作部主办，微电子学院承办的2019年第110期（总887期）“稷下风”研究生学术论坛在软件园校区微电子学院一楼报告厅如期举办。此次论坛邀请中山大学电子信息与工程学院刘川教授作了题为“薄膜晶体管的器件物理和新结构研究”的学术报告。微电子学院教授宋爱民担任主持人，学院众多老师出席了本次论坛。
刘川教授首先从传统的薄膜晶体管（TFT）或场效应晶体管（FET）中，器件性能受到均匀半导体材料的限制难以再进一步提高的研究背景出发，首先讲述了器件物理和测量方法，对传输和注入进行了分析。然后阐述了非均匀掺杂晶体管的器件性能和稳定机制，说明简并-非简并结构的形成和利用方法。同时进一步讲述了如何通过使用纳米近场光刻技术开发出具有亚微米异质结的TFT与光电晶体管，对器件的输出电流进行提高，使得跨导和器件迁移率与普通的铟镓锌氧化物（IGZO）TFT相比增加近20倍，开关比高于109，并实现了高开关比、敏感光响应、单向导通的异质结构晶体管。最后刘教授讲述了如何在TFT和FET研究中引入纳米级亚微米图案或界面的方法和结构。
在提问环节，宋爱民教授等和刘川教授进行了热烈的讨论。针对于宋教授提出的如何实现了高开关比、敏感光响应、单向导通的异质结构晶体管等问题，刘教授做出了使用纳米近场光刻技术开发方式对热载流子进行调控的回答。同学们也提出了自己的疑问，刘教授依次解答。最后在全体师生的热烈掌声下，本次报告圆满结束。
刘川，教授，于清华大学获得学士学位，于英国剑桥大学获得博士学位。曾任日本国立物质材料研究机构(NIMS)博士后研究员，韩国东国大学助理教授。现工作于中山大学电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室。主要研究半导体材料和原理（有机和氧化物半导体）、薄膜晶体管制备和器件物理、印刷电子元件与电路。研究工作由国家自然科学基金、广东省应用研发专项、广东省自然科学杰出青年基金、青年珠江学者计划、科技创新青年拔尖人才等资助。已发表SCI论文70余篇，他引1000余次。获韩国信息显示协会金奖、英国IOP出版社青年人员研究奖。任Semiconductor Science and Technology杂志编委、Journal of Society for Information Display杂志副编辑。
