2019年12月27日下午15时，由山东大学研究生院、党委研究生工作部主办，微电子学院承办的2019年第142期（总919期）“稷下风”研究生学术论坛在软件园校区微电子学院一楼报告厅如期举办。此次论坛邀请河北工业大学张紫辉教授作了题为“Numerical modelling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic and electronic devices”的学术报告。王以林教授担任本次讲座的主持人，微电子学院众多师生参与了本次论坛。

在本次报告中，张紫辉教授介绍了氮化物和碳化硅光电器件的数值模拟和实验演示的最新结果。张紫辉教授首先提出了提高铝镓氮基的深紫外LED载流子注入效率的设计方案，并发现通过极化工程、掺杂调制等方法适当地控制载流子能量可以提高载流子注入效率。通过局部调制掺杂类型来改善电流扩展效应，进一步揭示了潜在的器件物理特性。然后，张紫辉教授阐述了对于GaN基核/壳LED和微型LED的器件物理特性的研究，并对实验过程中影响载流子输运和载流子复合过程的各种参数进行了详细说明。最后，张紫辉教授讲述了目前在GaN基vcsel、GaN基台面型功率肖特基势垒二极管（SBDs）和4H-SiC基雪崩光电探测器（APDs）上的初步数值模拟进展。

在提问环节，张紫辉教授和王以林教授进行了热烈讨论。针对于同学们提出的器件仿真可以用什么TCAD工具、在仿真过程中主要表征器件的何种参数等问题，张紫辉教授回答可以用silvaco、comsol、sentaurus，表征器件击穿特性VB或是开关特性和一些C-V，I-V等特性曲线的仿真。在全体师生的热烈掌声下，本次报告圆满结束。

张紫辉，教授，2006年于山东大学获理学学士学位，2015年于新加坡南洋理工大学获博士学位，后留校任南洋理工大学研究员，目前任河北工业大学教授、博士生导师、河北省“百人计划”入选者、省级特聘专家、河北省政府特殊津贴专家、河北省青年拔尖人才、天津市青年优秀科技人才。主要研究方向为化合物半导体器件工艺、器件仿真、器件物理。在Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters、IEEE Electron Device Letters等领域内权威期刊发表SCI科研论文100余篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章60多篇(包括综述文章3篇)；受邀以第一作者身份为3部学术专著(Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, Handbook for Solid-State Lighting and LEDs，均由CRC Press, Taylor & Francis Group于2017年出版；Light-Emitting Diodes – Materials, Processes, Devices and Applications，Springer) 分别撰写章节1章，撰写Springer Book Series 学术著作1部；授权发明专利20多项。研究工作先后10多次分别被英国《今日半导体-Semiconductor Today》杂志、美国Applied Physics Letters、Advanced Science News、德国Wiley杂志社做专门报道，或被列为主题文章(Feature Article)、封面文章(Front Cover)。先后承担国家级、省部级、国防课题、各类人才项目及大额横向课题10多项，参与科技部重点研发计划1项。